الميزات | H01L23 | H01L27 | G06F3 |
الوصف | أجهزة أشباه الموصلات ذات وظائف محددة | أجهزة الذاكرة غير المتطايرة | المعالجات الدقيقة والمتحكمات الدقيقة وأنظمة المعالجة الرقمية |
التركيز على الابتكار | دمج الوظائف المختلفة في شريحة واحدة، والتصغير، وكفاءة الطاقة | كثافة أعلى وأوقات وصول أسرع واستهلاك أقل للطاقة | الأداء، وكفاءة الطاقة، والأمن |
التطورات التكنولوجية الرئيسية | التكامل ثلاثي الأبعاد، FinFETs، الأجهزة المعتمدة على GaN، تقنيات التغليف المتقدمة، تقنيات التصميم منخفضة الطاقة | فلاش NAND ثلاثي الأبعاد، وتقنيات الذاكرة الناشئة (STT-MRAM، وPCM)، وواجهات الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي، وتصحيح الأخطاء وتحسينات الموثوقية | معالجات متعددة النواة، وبنيات غير متجانسة، وأجهزة متخصصة للذكاء الاصطناعي والتعلم الآلي، وميزات الأمان والتشفير القائم على الأجهزة |
الفئات الفرعية الأعلى لإيداع براءات الاختراع (تقديرية) | التكامل ثلاثي الأبعاد (3-25%)، FinFETs والتقنيات ذات الصلة (30-20%)، الأجهزة المعتمدة على GaN لإلكترونيات الطاقة (25-15%)، تقنيات التصميم منخفضة الطاقة (20-15%) | ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (3-30%)، تقنيات الذاكرة الناشئة (40-25%)، واجهات الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (30-20%)، تقنيات تصحيح الأخطاء والموثوقية (25-15%) | المعالجات والبنيات متعددة النواة (25-30%)، الأجهزة المتخصصة للذكاء الاصطناعي/التعلم الآلي (30-40%)، ميزات الأمان والتشفير (20-25%)، تقنيات إدارة الطاقة وتحسينها (15-20%) |
التأثير على الصناعات | الأجهزة المحمولة، إنترنت الأشياء، السيارات، إلكترونيات الطاقة | تخزين البيانات، الحوسبة، الذكاء الاصطناعي، إنترنت الأشياء | الحوسبة، الأجهزة المحمولة، السيارات، الإلكترونيات الاستهلاكية |
الاتجاهات المستقبلية المتوقعة | التصغير المستمر والتكامل، التكامل غير المتجانس للمواد والأجهزة المختلفة، التركيز على كفاءة الطاقة والاستدامة | استمرار التوسع وزيادة الكثافة، وتطوير تقنيات ذاكرة جديدة ذات أداء أعلى، والتركيز على أمان البيانات والخصوصية | التركيز المستمر على الأداء والكفاءة، وتطوير الأجهزة المتخصصة للتطبيقات الناشئة (الذكاء الاصطناعي وإنترنت الأشياء)، وزيادة التركيز على الأمان والخصوصية |